术语 | metal-oxide-semiconductor random access memory (MOSRAM) |
释义 | metal-oxide-semiconductor random access memory (MOSRAM) 金属氧化物半导体随机存取存储组件;[金属氧化物半导体随机接达记忆体] A random access memory module composed of metal oxide semiconductor device with LSI technology. 采用大规模集成工艺由金属氧化物半导 体器件组成的一种随机存取存储组件。 |
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